克日，三星电子对于表面示，8nm版本的eMRAM开辟已经根本实现，正按方案逐渐促进制程晋级。材料表现，eMRAM是一种基于磁性道理的、非易失性的新型存储技能，属于面向嵌入式范畴的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM比拟，eMRAM具有更快存取速率与更高耐用性，没有需求像DRAM同样革新数据，同时写入速率是NAND的1000倍数。

基于上述特征，业界看好eMRAM将来远景，特别是正在对于功能、能效和耐用性较高的场景中，eMRAM被寄与厚望。

三星电子是eMRAM次要消费商之一，努力于推进eMRAM正在汽车范畴的使用。三星于2019年开辟并量财产界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM，具有28nm eMRAM消费才能以后，另据媒体报导，三星还方案2024年量产14nm eMRAM，2026年量产8nm eMRAM，2027年量产5nm eMRAM。

三星对于eMRAM正在将来车用范畴的使用充溢决心，并透露表现其产物耐温才能已经到达150~160℃，完整可以满意汽车行业对于半导体的严苛请求。

最近几年，年夜数据、野生智能等使用不时遍及，带来了海量存储需要，同时也对于存储技能提出了更高请求，因而新型存储技能不时出现，此中SCM（Storage Class Memory）是具备代表性的技能，它分离了DRAM以及闪存的特色，具备DRAM的高速读写功能，又具有NAND闪存的耐久存储才能，无望处理DRAM存储器容量小、九游游戏官方网站易失性以及高本钱等成绩，产物次要包括相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、磁阻存储器（MRAM）以及纳米管RAM（NRAM）等。

除三星以外，往年以来铠侠、字节跳动等公司也正在新型存储范畴有所举措。4月，铠侠CTO宫岛英史对于表面示，与同时经营NAND以及DRAM的合作敌手比拟，铠侠正在营业丰厚水平下面处于合作优势，有须要培养SCM（Storage Class Memory）等新型存储产物营业。为发力进步前辈存储技能，铠侠还将“存储器技能研讨尝试室”重组为“进步前辈技能研讨尝试室”。

3月媒体报导，字节跳动投资国际存储芯片公司昕原半导体，成为该公司的第三年夜股东。材料表现，昕原半导体专一于ReRAM新型存储技能及相干芯片产物的研发，产物涵盖高功能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、零碎级存储（System-on-Memory, SoM）芯片三年夜使用范畴。

AI海潮之下，高容量、高功能存储产物紧张性不时凸显，HBM无疑是以后最受存眷的产物，市况求过于供，产值继续爬升。

全世界市场研讨机构TrendForce集邦征询此前估计，2023年HBM产值占比之于DRAM全体财产约8.4%，至2024年末将扩展至20.1%。同时，新型存储技能也不时出现，3D DRAM期间行将开启；SCM后劲行将开释，PCIe 6.0/7.0蓄势待发…

6月19日（周三），TrendForce集邦征询将正在深圳福田盛大举行“2024集邦征询半导体财产高层论坛（TrendForce Semiconductor Seminar 2024）”。

届时，集邦征询资深研讨副总司理吴雅婷将辨别宣布《从HBM火爆看内存财产开展趋向》的主题演讲，敬请等待！

封面图片根源：拍信网